技術(shù)編號(hào)：6830669
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù) 近些年來，在半導(dǎo)體器件等的電子器件中，為了實(shí)現(xiàn)高集成化一直在進(jìn)行布線的多層化。在具有這樣的多層布線的電子器件中，在要把中間存在著層間絕緣膜地配設(shè)的上下的布線圖形電連起來的情況下，就要作成為在層間絕緣膜上形成接觸孔，通過該接觸孔進(jìn)行連接。在這里，為了減小布線間的寄生電容，有作為層間絕緣膜選擇低介電系數(shù)的材料，或使層間絕緣膜厚膜化的方法。一般地說，作為層間絕緣膜雖然可以使用氧化硅，但是，若使氧化硅厚膜化，則常常要產(chǎn)生或者會(huì)因膜應(yīng)力變大而發(fā)...
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