技術編號:6831139
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是關于用于原子層沉積裝置之氣閥組件,且更確切而言,是關于具有磁性密封的氣閥組件。背景技術 通常,通過一個用于制造基板的制造過程來形成半導體設備或液晶顯示(LCD)設備,這個制造過程包括薄膜的沉積步驟、蝕刻步驟和清潔步驟。作為基板,晶圓可用于半導體設備而玻璃基板則可用于LCD設備。形成薄膜的方法可分成使用物理沖擊的物理汽相沉積(PVD)方法和使用化學反應的化學汽相沉積(CVD)方法。由于使用CVD方法制造的薄膜具有均勻性的優(yōu)勢并且覆蓋使用PVD方法制造...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。