技術(shù)編號：6831171
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是一種自適應(yīng)柔性層制備無裂紋硅基III族氮化物薄膜的方法。背景技術(shù) 以GaN為代表的III族氮化物半導(dǎo)體由于可用于藍(lán)光LED和LD，高密度光學(xué)存儲，高溫、大功率及高頻電子器件，紫外探測器等領(lǐng)域，因而具有非常廣闊的應(yīng)用前景。然而由于沒有同質(zhì)襯底，難以得到優(yōu)質(zhì)GaN薄膜。至今制備的器件級GaN薄膜大多是在藍(lán)寶石襯底上得到的。由于藍(lán)寶石襯底硬度大，不導(dǎo)電，且價格昂貴，難以大批量生產(chǎn)，迫使人們?nèi)L試在價謙、導(dǎo)熱、導(dǎo)電、大尺寸、易于解理和易...
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