技術(shù)編號：6831729
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體組件，特別是有關(guān)于一應(yīng)用在應(yīng)變溝道晶體管(strained channel transistor)的反向器以及集成電路。背景技術(shù) 過去數(shù)十年間為持續(xù)改善集成電路的操作速度、密度以及花費(fèi)，因此縮小金-氧-半場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的尺寸，其包括縮小柵極長度以與柵極氧化層厚度。典型的集成電路包括許多(例如數(shù)百萬的)的晶體管，因此業(yè)界一直持續(xù)地試圖改善該些組件。反向器為一常用于集成電路的半導(dǎo)體電路。圖1a是顯示一反相器電路104，而圖1b...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。