技術(shù)編號：6832714
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及太陽能電池，具體涉及一種具有η層保護層的非晶硅薄膜太陽能電池 的制備方法。背景技術(shù)在生產(chǎn)非晶硅薄膜太陽電池的工藝過程中，大多選用sputter磁控濺射技術(shù)在背 板形成背電極，但是有時會由于濺射時產(chǎn)生的轟擊作用，對非晶η層表面產(chǎn)生損傷，導(dǎo)致電 池的電子收集能力的下降，進而影響了非晶硅薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種可以防止在形成背電極時由于濺射的轟擊作用損傷非 晶η層表面、電子的收集能力和轉(zhuǎn)換效率更高的具有η層保護窗口層的非...
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