技術(shù)編號(hào)：6832847
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。,Ga)的制作方法本發(fā)明涉及InN-GaN基藍(lán)光半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)，特別是一種用于InN-GaN基藍(lán)光半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)的，Ga)2O4/MgAl2O4復(fù)合襯底材料及其制備方法。背景技術(shù) 以GaN為代表的寬帶隙III-V族化合物半導(dǎo)體材料正在受到越來(lái)越多的關(guān)注，它們將在藍(lán)、綠光發(fā)光二極管(LEDs)和激光二極管(LDs)、高密度信息讀寫、水下通信、深水探測(cè)、激光打印、生物及醫(yī)學(xué)工程，以及超高速微電子器件和超高頻微波器件方面具有廣泛的應(yīng)用前景。由于GaN熔點(diǎn)高、硬度...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。