技術編號：6833367
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體，特別指高密度超小型Ge量子點的生長方法。背景技術 Si/Ge系統(tǒng)中SK模式自組織生長的Ge量子點，由于具有與微電子工藝相兼容的巨大優(yōu)勢以及三維尺寸限制效應帶來的新奇光學、電學特性而將有廣闊的應用前景，并且已經(jīng)成為目前研究的熱點。由于其結構上的三維限制特性，在光學和電學上表現(xiàn)出特有性質，利用這些性質可以制作新的功能器件并可能在未來微電子和光電子應用中發(fā)揮重要作用。諸如量子點對載流子的三維限制有助于提高激子的束縛能，提高SiGe/Si結構的發(fā)...
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