技術(shù)編號(hào):6839503
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及晶閘管,尤其涉及一種大功率晶閘管方形芯片。背景技術(shù)現(xiàn)有的大功率晶閘管方形芯片,其結(jié)構(gòu)包括N型NTD硅單晶片構(gòu)成的芯片長(zhǎng)基區(qū),長(zhǎng)基區(qū)一側(cè)面的短基區(qū),另一側(cè)面的陽(yáng)極區(qū),短基區(qū)外側(cè)面設(shè)置的陰極發(fā)射區(qū),陰極發(fā)射區(qū)上方的由鎳和銀組成的金屬層,貫穿短基區(qū)、長(zhǎng)基區(qū)和陽(yáng)極區(qū)的隔離墻,短基區(qū)、長(zhǎng)基區(qū)和陽(yáng)極區(qū)中的臺(tái)面,短基區(qū)外側(cè)面的氧化層,陽(yáng)極區(qū)外側(cè)面的金屬層構(gòu)成,這種芯片加工工序多,工藝復(fù)雜困難,成品率低,后封裝工序過(guò)程也復(fù)雜,需在背面粘接鉬片后才能與管座燒結(jié)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。