技術(shù)編號：6844613
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有利用等離子體處理形成的電容器的半導(dǎo)體裝置及其制造方法、能夠進(jìn)行用于形成該電容器時用的等離子體處理的半導(dǎo)體制造裝置、以及計(jì)算機(jī)記錄介質(zhì)。背景技術(shù) 作為半導(dǎo)體裝置的DRAM，構(gòu)造為在其存儲單元內(nèi)具有MOS晶體管和蓄積存儲用的電荷的電容器。近年來，伴隨半導(dǎo)體裝置的微細(xì)化，要求半導(dǎo)體裝置內(nèi)的晶體管和電容器的尺寸縮小化?？墒?，電容器的電容與其面積成正比，與厚度成反比，所以減薄厚度自然是有極限的。作為電容器的結(jié)構(gòu)，多數(shù)采用MIM(Metal Insula...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。