技術編號:6844785
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用于平坦化襯底表面的制造物件和裝置。背景技術亞四分之一微米(sub-quarter micron)金屬化多層金屬化是用于下一代超大規(guī)模集成(ULSI)的關鍵技術之一。作為此技術核心的多層互連需要形成在高深寬比的孔隙中的互連特征的平坦化,所述特征包括接觸、過孔、線路和其他特征。這些互連特征的可靠形成對于ULSI地成功以及對于在單獨襯底和管芯上提高電路密度和質量的不斷追求是非常重要的。在集成電路和其他電子器件的制造中,多層的導電材料、半導體材料、和電...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。