技術(shù)編號(hào):6846464
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明系關(guān)于集成電路(IC)裝置,以及制造此集成電路裝置之制程。詳言之,本發(fā)明系關(guān)于在襯底上或在包括譬如應(yīng)變硅(strainedsilicon)之應(yīng)變層(strained layer)之各層上形成溝渠隔離(trenchisolation)結(jié)構(gòu)的方法。背景技術(shù) 集成電路(IC)包括形成在半導(dǎo)體襯底上之許多晶體管。于此技術(shù)方面已知形成晶體管之各種方法。一般而言,藉由絕緣或隔離結(jié)構(gòu)而使晶體管彼此隔離。一種于硅襯底上形成晶體管的方法,包括已知之硅的局部氧化(LOC...
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