技術(shù)編號(hào)：6850751
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種單晶集成半導(dǎo)體元件的制造方法。特別是有關(guān)于單晶集成元件中，用于非揮發(fā)性可重復(fù)程式化記憶體，其電荷保存結(jié)構(gòu)的閘絕緣層的制造方法。此非揮發(fā)性可重復(fù)程式化記憶體，例如是眾所周知的ONO型堆疊。另外，也與同時(shí)形成相關(guān)的高壓晶體管與低壓晶體管的閘介電層相關(guān)。共同擁有申請(qǐng)的相互參照以下一同等候?qū)彶榈拿绹?guó)專利申請(qǐng)案為本申請(qǐng)案發(fā)明人所擁有，其內(nèi)容在此揭露一并做為參考董忠(Zhong Dong)等人于2003年5月20日申請(qǐng)的第10/442759號(hào)(代理人...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。