技術(shù)編號(hào):6852555
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,具體涉及一種兩端存儲(chǔ)信息的閃存單元的讀取方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,隨著各種移動(dòng)設(shè)備中對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)要求的日益增大,對(duì)能在斷電情況下仍然保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的需求也越來(lái)越大。閃存(Flash Memory)具有存儲(chǔ)密度高,編程和擦除操作方便,可靠性高等特點(diǎn),是發(fā)展最快的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。從二十世紀(jì)八十年代第一個(gè)閃存產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái),隨著技術(shù)的發(fā)展,它被廣泛用于手機(jī),筆記本,掌上電腦和U盤等...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。