技術(shù)編號：6853038
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種發(fā)光波長在1.5微米波段的鎵銦氮砷銻(GaInNAsSb)/鎵氮砷(GaNAs)/砷化鎵(GaAs)量子阱結(jié)構(gòu)及其外延生長方法，特別是指一種。背景技術(shù) 砷化鎵基1.5微米量子阱結(jié)構(gòu)是制作1.5微米半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu)，1.5微米半導(dǎo)體激光器是干線光纖通訊系統(tǒng)中核心光器件。目前商用產(chǎn)品是銦鎵砷磷(InGaAsP)/磷化銦(InP)激光器，由于InGaAsP和InP的折射率差異甚小，對有源區(qū)載流子的限制不足，導(dǎo)致激光器溫度穩(wěn)定性不好，最大特征溫...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。