技術(shù)編號(hào):6857427
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種鐵電膜、鐵電膜的制造方法、鐵電電容器、以及鐵電存儲(chǔ)器。背景技術(shù) 近年來(lái),關(guān)于Pb(Zr、Ti)O3PZT)、SrBi2Ta2O9(SBT)等的鐵電膜、使用該鐵電膜的鐵電電容器、以及鐵電存儲(chǔ)裝置的研究開發(fā)正在積極地進(jìn)行。鐵電存儲(chǔ)裝置的構(gòu)造大致分為1T、1T1C、2T2C、單純矩陣型。其中,1T型構(gòu)造在電容器發(fā)生內(nèi)部電場(chǎng),因此保存(數(shù)據(jù)的保持)時(shí)間較短,為1個(gè)月,因此不能保證通常對(duì)半導(dǎo)體要求的10年。對(duì)于1T1C、2T2C型而言,其與DRAM的構(gòu)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。