技術(shù)編號(hào):6861069
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件的金屬電極結(jié)構(gòu),尤其涉及一種III-V族化合物半導(dǎo)體P型歐姆電極。背景技術(shù)在目前,光電二極管、激光二極管和發(fā)光二極管的半導(dǎo)體工藝中,在半導(dǎo)體襯底上制作P型電極是一項(xiàng)必不可少、非常關(guān)鍵的工藝,其作用就是通過(guò)金屬電極實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件內(nèi)部與外部的互聯(lián)。但是,電極制作會(huì)產(chǎn)生歐姆電阻,歐姆電阻是半導(dǎo)體器件串聯(lián)電阻的一部分。歐姆電阻大,反映出來(lái)的正向壓降就越大。根據(jù)頻率計(jì)算公式,串聯(lián)電阻越小,頻率響應(yīng)就越高。相反,如果串聯(lián)電阻很大,就會(huì)大大降...
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