技術(shù)編號：6866563
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及形成半導(dǎo)體器件，并且更具體地，涉及形成半導(dǎo)體器件的硅化物層。背景技術(shù) 半導(dǎo)體工業(yè)持續(xù)地縮小器件尺寸，以產(chǎn)生更快速的器件。一個減小的該特征是多晶硅線寬，該多晶硅線形成了晶體管的柵電極。在窄的多晶硅線上形成的金屬硅化物，改善了多晶硅線和其他后繼形成的傳導(dǎo)線之間的接觸電阻。該金屬硅化物是這樣形成的，在窄的多晶硅線上淀積金屬層并且使該金屬層退火，由此其與多晶硅線反應(yīng)并且形成金屬硅化物。然而，在窄的多晶硅線上形成金屬硅化物時，難于使金屬硅化物成核。差的...
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