技術(shù)編號：6867198
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。當前發(fā)明涉及一般地半導(dǎo)體器件，并且更特別地，涉及在寬度方 向中具有應(yīng)力修正和電容降低特征的晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)在<100>方向的SOI襯底上的窄寬度PFET器件觀察到大約15到 40百分比(15-40%)的窄寬度PFET驅(qū)動電流增強。相信如此增強與 應(yīng)力引起的遷移性增強有關(guān)。但是，在此存在一個或多個限制因素制 約利用該驅(qū)動電流的提高。首先，在典型的0.13微米技術(shù)的高性能產(chǎn) 品中，在一個相對寬的寬度上設(shè)計相當數(shù)量的PFET晶體管，例...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。