技術(shù)編號(hào)：6869321
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在雙鑲嵌互連上的覆蓋層的形成本發(fā)明涉及覆蓋層在用于半導(dǎo)體器件的電介質(zhì)層中的導(dǎo)電互連上的 沉積。更特別是，本發(fā)明涉及電介質(zhì)層在沉積覆蓋層之前的處理。半導(dǎo)體制造商正在不懈地努力以制造更快和更復(fù)雜的集成電路。實(shí)現(xiàn) 這種集成電路的一種方法是減小半導(dǎo)體電路的尺寸，從而降低柵極(晶體管) 延遲。然而，隨著電路的尺寸減小，組成電路的材料的物理性能變得曰益 重要。特別是，隨著在電路中包含的導(dǎo)電互連的尺寸，并且更特別是它們 的寬度降低，互連的電阻成比例地增加。這導(dǎo)致增加的互...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。