技術(shù)編號(hào):6869835
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及一種磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)(MRAM)器件及其制造方法,特別涉及一種MRAM器件寫(xiě)入線結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)技術(shù)發(fā)展目前正在由半導(dǎo)體工業(yè)用作為一種非易失性存儲(chǔ)器。MRAM還可以被用作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的替換。在此有兩種主要的MRAMMTJ(磁性隧道結(jié))和GMR(大磁阻)MRAM。圖1示出包括與多個(gè)數(shù)字線14相交的一個(gè)寫(xiě)入線或位線12的MTJ陣列10的一部分或一個(gè)存儲(chǔ)位。在每個(gè)交叉...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。