技術(shù)編號(hào)：6870649
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。抗輻照、可集成的垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體功率器件，屬于半導(dǎo)體功率器件。背景技術(shù) 垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(V-DMOS)相對(duì)于較早出現(xiàn)的L-DMOS(L-DMOS)而言，它將漏區(qū)、漂移區(qū)和溝道區(qū)從表面分別轉(zhuǎn)移到硅片的底部和體內(nèi)，管芯占用的硅片面積大大縮小，提高了硅片表面的利用率，而且器件的頻率特性也得到了很大的改善，使功率MOS器件從小功率向大功率領(lǐng)域邁進(jìn)的過程中前進(jìn)了一大步。V-DMOS適合用于制作大功率器件，是功率電子的重要基礎(chǔ)，作為功率開關(guān)，V-...
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