技術(shù)編號(hào)：6873905
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子器件范圍，特別涉及一種基于應(yīng)變SiGe溝道的高速、高抗輻照的鐵電存儲(chǔ)器。背景技術(shù) 隨著微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，信息安全和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)受到廣泛的重視。特別是在國防工業(yè)器件的開發(fā)上，需要一種高效率、低成本和安全保密的存儲(chǔ)技術(shù)，因此，尋求高速度、低功耗、高安全性以及不揮發(fā)特性的新型存儲(chǔ)器尤為重要。傳統(tǒng)的SRAM、DRAM、E2PROM、FLASH等存儲(chǔ)器都是以硅為存儲(chǔ)介質(zhì)，由于物理和工藝上的極限，已經(jīng)不能滿足信息產(chǎn)業(yè)的進(jìn)一步高速發(fā)展。并且E2PROM和...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。