技術(shù)編號：6874228
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)一種形成自對準(zhǔn)金屬硅化物的方法，特別是有關(guān)于一種在部分區(qū)域形成自對準(zhǔn)金屬硅化物的方法。背景技術(shù) 當(dāng)元件的集成度(integrity)增加，使金氧半導(dǎo)體晶體管元件的源極/汲極的電阻，逐漸地上升到與金氧半導(dǎo)體晶體管元件通道(channel)的電阻相當(dāng)時，為了調(diào)降源極/汲極的片電阻(sheet resistance)，并確保金屬與金氧半導(dǎo)體晶體管間的「淺接合(shallow junction)」的完整，一種稱為「自行對準(zhǔn)金屬硅化物(self-align...
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