技術(shù)編號：6874659
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件。 背景技術(shù) 近年來，MOSFET及IBGT作為開關(guān)器件或反向器控制用器件引人注目。圖25是以MOSFET構(gòu)成的現(xiàn)有的具有代表性的半導體器件的平面圖。在該半導體器件151中，在半導體襯底71的上主面上形成絕緣層，并在該絕緣層上形成用于與外部進行電連接的柵極焊區(qū)86和源極焊區(qū)99。圖26是把圖25中的柵極焊區(qū)82附近區(qū)域放大后示出的局部放大平面圖。在柵極焊區(qū)82的周圍配置了被連接在源極焊區(qū)99上的源電極81。源電極81通過貫穿絕緣層的...
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