技術(shù)編號(hào):6875437
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及由3~5族氮化物系化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的發(fā)光二極管以及半導(dǎo)體激光等發(fā)光裝置,以及在電子裝置中用的氮化鎵(GaN)單晶基板結(jié)晶的摻雜氧的方法。在基板上,在外延成長(zhǎng)的GaN薄膜成長(zhǎng)及GaN大塊結(jié)晶成長(zhǎng)時(shí),往GaN結(jié)晶本體摻雜雜質(zhì)。與氮化物系化合物半導(dǎo)體一樣表現(xiàn)的是,它層壓的薄膜不僅是GaN薄膜,而且,是往里添加In、P、As......等成分的三元混晶膜、四元混晶膜等層壓膜。發(fā)光活性層是GaInN。而主體是GaN。因還有其他成分,所以,與氮化物系一起正確...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。