技術(shù)編號：6886003
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及一種電子元器件，具體地，涉及一種壓接式IGBT器件(即絕緣柵雙極晶體管器件)。背景技術(shù)絕緣柵雙極型晶 體管簡稱為IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，IGBT 是由MOSFET (即金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管)和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為M0SFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET 器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型晶體管器件飽和...
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