技術(shù)編號：6886471
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于輻射檢測的半導(dǎo)體器件本發(fā)明涉及一種用于輻射檢測的半導(dǎo)體器件。在本領(lǐng)域中用于檢測電磁輻射的半導(dǎo)體基器件或傳感器是己知的。這些傳感器是采用IC (集成電路)技術(shù)，如MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)、CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)或CCD (帶電耦合器件)技術(shù)，并利用所謂的集 電結(jié)而在襯底上實現(xiàn)的，其中所述集電結(jié)是適于收集由于電磁輻射而在襯 底中產(chǎn)生的電荷載流子的區(qū)域，并且是pn-或叩-結(jié)。為了檢測電離輻射，如X射線，可以施加閃爍材料，其中電離(X射線) 輻...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。