技術(shù)編號(hào)：6886559
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉;Mt含有硅和鍺的多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力層和應(yīng)變層，并且 更具體地涉;M^這樣的異質(zhì)結(jié)構(gòu)中形成的mos器件。背景技術(shù)應(yīng)變硅被廣泛地認(rèn)為是獲得期望的集成電路性能提升的重要技術(shù)。雙 軸面內(nèi)拉伸應(yīng)變樹目對(duì)于非應(yīng)變^現(xiàn)出增強(qiáng)的面內(nèi)電子和空穴遷移率，使得n-溝道和p-溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)性能得到改善。遷移率 提高是有效栽流子量減少和谷間(光子)^t射減少相結(jié)合的結(jié)果。應(yīng)變硅通常通過(guò)在硅襯底上首先生長(zhǎng)厚的硅鍺合金(SiGe)層來(lái)獲得。 SiGe層生長(zhǎng)...
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