技術編號：6888580
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般涉及在半導體器件中制造集成電路的方法。更特別地，本發(fā)明涉及在圖像傳感器的淺溝槽隔離拐角處制造注入(implant)以抑制表面暗電流。背景技術典型地，金屬或晶格缺陷、表面態(tài)和晶格應力在圖像傳感器中產生暗電流。暗電流是不希望的信號，其在半導體襯底中產生并被光電探測器收集。當光照在和不照在光電探測器上時，都產生暗電流。暗電流增加了噪聲，這降低了圖像傳感器的動態(tài)范圍和信噪比。淺溝槽隔離對像素進行物理隔離，使得在任何給定像素中收集的信號將不會溢出到一個鄰近...
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