技術(shù)編號(hào)：6891737
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造巨磁阻(GMR)型自旋閥結(jié)構(gòu)的方法，該結(jié)構(gòu)包括一磁性層、一非磁性層和一鐵磁材料傳感層的疊層。自旋閥結(jié)構(gòu)是一種具有磁阻效應(yīng)的磁性多層結(jié)構(gòu)。這意味著這樣一種結(jié)構(gòu)的阻力在外部磁場(chǎng)的影響下變化。在自旋閥結(jié)構(gòu)的情況下，磁阻效應(yīng)通常被稱為巨磁阻(GMR)效應(yīng)?，F(xiàn)在的許多磁盤(pán)器件將自旋閥結(jié)構(gòu)用作傳感元件。這些結(jié)構(gòu)也被應(yīng)用于其它的器件中，如用于自動(dòng)傳感器和磁性RAM中。只有自旋閥結(jié)構(gòu)的磁性層/非磁性層/傳感層部分對(duì)GMR效應(yīng)有貢獻(xiàn)，因而是該結(jié)構(gòu)的活性區(qū)域...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。