技術(shù)編號(hào)：6892726
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種提高低介電常數(shù)摻碳氧化硅(SiCOH)介質(zhì)薄膜的機(jī)械強(qiáng)度 的方法。背景技術(shù)隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)的發(fā)展，器件的特征尺寸不斷縮小，互連電 容和電阻急速增加，從而限制了器件性能的提高，為了降低互連延遲，需要采 用低介電常數(shù)(介電常數(shù))的材料來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的Si02作為互連的介質(zhì)材料。摻碳 的氧化硅薄膜(SiCOH)由于其易于制備，較低的介電常數(shù)值，以及良好的工藝 兼容性等特點(diǎn)成為90納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)集成電路技術(shù)的互連介質(zhì)的最佳選 擇。然而...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。