技術(shù)編號(hào)：6892888
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種功率場(chǎng)效應(yīng)管的晶片接觸制程方法，且特別涉及一種功率 場(chǎng)效應(yīng)管在接觸制程中減少晶片彎曲程度的方法。,f狄功率場(chǎng)效應(yīng)管的晶片在曝光后的顯影制程時(shí)，會(huì)發(fā)生微影機(jī)器的真空泵無 法把晶片吸住，制程被終止，晶片被報(bào)廢的情況，原因是功率場(chǎng)效應(yīng)管的晶片 發(fā)生了彎曲的現(xiàn)象。而晶片彎曲的原因主要是接觸制程中有一道工序?yàn)橹谱鹘?觸凹陷區(qū)的制程，它是在接觸蝕刻之后，在硅層上還要挖一定深度，以隔開該 接觸凹陷區(qū)兩側(cè)的離子注入?yún)^(qū)域，該凹陷區(qū)用以形成接觸區(qū)引出導(dǎo)線與外部元...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。