技術(shù)編號(hào)：6893150
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在SONOS產(chǎn)品中制造ONO結(jié)構(gòu)的方法，屬于集成電路 制造領(lǐng)域。 背景技術(shù)在SONOS (硅一氧化硅一氮化硅一氧化硅一硅)產(chǎn)品中需要在特定的 區(qū)域制備ONO (氧化硅—氮化硅一氧化硅)結(jié)構(gòu)。圖1所示是一種ONO結(jié)構(gòu)在柵極形成后的平面結(jié)構(gòu)示意圖，其中最下層為有源區(qū)1和淺溝槽隔離 結(jié)構(gòu)2，其上層為0N0層3，柵極4坐落在0N0線條3上面。在此結(jié)構(gòu)中， 尺寸5的大小非常重要，決定了柵極坐落于ONO線條上的窗口大小，在柵 極尺寸(gateCD)和柵極...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。