技術編號：6893156
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體集成電路的制造工藝方法，特別是涉及一種M0S 晶體管的制作工藝方法。 背景技術M0S晶體管是半導體集成電路的基本器件，它包括源極、漏極和柵極。 目前的M0S晶體管中柵極最常用的材料是多晶硅。然而隨著半導體制造工 藝的發(fā)展，業(yè)界已逐漸采用金屬柵極來替代傳統(tǒng)的多晶硅柵極。無論是采用多晶硅柵極還是金屬柵極，M0S晶體管的開啟速度都受制于 柵極線寬尺寸。為了提高M0S晶體管的開啟速度，就需要不斷減少MOS晶 體管的柵極線寬尺寸，而目前半導體集成...
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