技術(shù)編號：6894644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，且尤其涉及具有遠次集電極(far subcollector)和基于深溝槽的遠次集電極穿通件(reachthrough)的半 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)一些高性能的無源半導(dǎo)體器件受益于埋置摻雜層在半導(dǎo)體襯底 內(nèi)增加了的深度。例如，雙極晶體管中次集電極深度的增加提供了擊 穿電壓增加的優(yōu)點。對于另一示例，其中本征半導(dǎo)體區(qū)域被夾在p型 摻雜的半導(dǎo)體區(qū)域和n型摻雜區(qū)域之間的正-本征-負(PIN) 二極管 的操作頻率隨埋置摻雜層深度而增加，該...
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