技術(shù)編號(hào)：6894659
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，尤其涉及一種包括通過傾斜角離子注入形成的袋區(qū)(pocketregion)的。技術(shù)背景在MISFET中，為了防止由于短溝道效應(yīng)造成閾值電壓降低， 一般通過 局部地增加?xùn)烹姌O下的雜質(zhì)濃度來形成稱作口袋或者暈輪的雜質(zhì)摻雜區(qū)(以 下稱作袋區(qū))。通常，在半導(dǎo)體襯底上形成柵電極后，在朝向半導(dǎo)體襯底法線傾斜的方 向上通過傾斜角離子注入形成袋區(qū)。通過傾斜角離子注入形成袋區(qū)。但是，隨著半導(dǎo)體器件密度的增加，不同導(dǎo)電型元件之間的距離變小， 所謂的遮擋或遮擋效應(yīng)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。