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      具有高深寬比鍍通孔的裝置的制造方法技術(shù)資料下載

      技術(shù)編號:6896382

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      本發(fā)明是有關(guān)于一種具有鍍通孔的裝置的制造方法,更特別有關(guān)于一 種具有鍍通孔的裝置的制造方法,其介電材料層的貫穿孔的預(yù)定深寬比可 大幅提升。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體裝置的幾何外形越來越小,其主動表面上的組件尺寸亦隨 的變小。諸如,半導(dǎo)體裝置的被動組件(電容)是由兩層金屬層與鍍通孔所 構(gòu)成。為了使電容體積變小,則該金屬層的面積需減小,且該鍍通孔需具有高深寬比。在習(xí)知具有鍍通孔(via)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中,通常是 利用感旋光性苯環(huán)丁烯(Benzocyclobut...
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