技術(shù)編號：6896947
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種自旋注入方法，特別是利用光學(xué)偏振轉(zhuǎn)移以 及共振隧穿在半導(dǎo)體有源區(qū)內(nèi)引入高自旋極化度的電子。背景技術(shù)CMOS集成電路中器件尺寸的不斷減小和集成密度的不斷提 高帶來了很多的問題。量子效應(yīng)已經(jīng)不可忽略，器件的散熱問題， 產(chǎn)品的良率等都使得被人們奉為金科玉律的摩爾定律面臨巨大 的挑戰(zhàn)，這個時候人們考慮到利用電子的自旋是解決上述問題的 很好的方案。自旋相關(guān)效應(yīng)所需要的尺度在納米量級，比電荷所需要的至少幾十納米要小一個量級，自旋器件更容易達(dá)到更高的集成度...
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