技術(shù)編號(hào)：6897656
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體加工工藝，尤其涉及一種硅-硅直接鍵合制作靜電感應(yīng)晶閘管 的方法。背景技術(shù)SID (靜電感應(yīng)器件)是目前電力器件的主流產(chǎn)品，其中的SITH (Static Induction Thyristor，靜電感應(yīng)晶閘管)是SIT (靜電感應(yīng)晶體管)的派生器件，采用P+區(qū)代替SIT的漏極接觸區(qū)而構(gòu)成陽極接觸區(qū)，其i-v特性與普通晶閘管的負(fù)阻轉(zhuǎn)折特性相似。SITH的結(jié)構(gòu)和SIT或BSIT (電力半導(dǎo)體器件)類似，所不同的只是陽極p+代替了n+漏 區(qū)。...
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