技術(shù)編號：6898378
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。,其使用方法和形 ...的制作方法本發(fā)明涉及選擇性蝕刻位于氮化硅或未摻雜二氧化硅上的摻雜二氧化硅的方法。具體而言，本發(fā)明方法包括使用含有乙烷氣體的蝕刻劑混合物，該乙烷氣體具有通式C2HxFy，其中x是2-5的整數(shù)，y是1-4的整數(shù)，x+y等于6。本發(fā)明還涉及包含具有通式C2HxFy的組分的蝕刻劑混合物，通式中x是2-5的整數(shù)，y是1-4的整數(shù)，x+y等于6。背景技術(shù) 在半導體器件上形成多層結(jié)構(gòu)通常涉及摻雜的二氧化硅層，包括但不限于磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼...
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