技術編號：6903111
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種改善半導體器件性能的方法，特別涉及一種形成改善的淺絕緣溝槽結構的方法。背景技術現(xiàn)在的半導體淺絕緣溝槽(STI)結構中，由于在制造半導體器件的氧化層時，有時清洗效果不夠理想，使得隨后形成的淺絕緣溝槽結構的角落處形成的盤狀結構缺陷過大。這種結構又會引起該半導體器件對使用時的待命電流造成不良影響。發(fā)明內容 本發(fā)明的一個目的是提供。本發(fā)明提出了，包括以下步驟 步驟l，將具有淺溝槽絕緣結構的半導體器件送入爐管，該半導體器件表面具有硅材料，向爐管內通入氧...
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