技術(shù)編號：6905300
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路加工制造，特別涉及一種調(diào)整間隙壁寬度的方法以及構(gòu)造間隙壁的蝕刻方法。 背景技術(shù)用于構(gòu)造氧化硅-氮化硅(ON)間隙壁(spacer)的蝕刻過程，其蝕刻對象是由單 晶硅基底和基底表面上的多晶硅結(jié)構(gòu)組成的晶片，蝕刻過程包括 在所述晶片表面沉積一層氮化硅薄膜；然后在氮化硅薄膜上面再沉積一層氧化硅 薄膜； 對所述晶片表面進行垂直方向的針對氧化硅薄膜的定向蝕刻，直到間隙壁的寬度 達到所需要的寬度為止。 傳統(tǒng)的ON間隙壁寬度由晶片表面沉積的氧化硅薄膜的...
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