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技術(shù)編號(hào)：6908618

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本實(shí)用新型涉及一種一種功率溝槽式MOS場(chǎng)效應(yīng)管。這種功率溝槽式 MOS場(chǎng)效應(yīng)管可以是N或P型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，它能承受的電壓在中低壓范 圍(20V〈電壓〈300V)。 背景技術(shù)功率溝槽式MOS場(chǎng)效應(yīng)管作為一種在平面式MOS場(chǎng)效應(yīng)管基礎(chǔ)上發(fā)展 起來(lái)的新型大功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管，消除了平面式MOS場(chǎng)效應(yīng)管的寄生JFET 效應(yīng)，具有導(dǎo)通電阻減小、飽和壓降低、開關(guān)速度快、溝道密度高、芯片尺 寸小等特點(diǎn)，是中低壓大功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)展的主流。功率溝槽式MOS 場(chǎng)效應(yīng)管...
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