技術(shù)編號：6914040
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，具體涉及使向構(gòu)成掩膜只讀存儲器(掩膜ROM)各元件上寫入信息的工藝穩(wěn)定的制造技術(shù)。工序1如圖9A所示，用熱氧化法或CVD法在P型半導(dǎo)體基片51上形成由氧化硅膜構(gòu)成的厚度為25nm的襯墊氧化膜52。襯墊氧化膜52是為保護(hù)半導(dǎo)體基片51的表面而形成的。接著，在整個表面形成耐氧化的氮化硅膜53，之后在與紙面垂直的方向上，在氮化硅膜53上形成用以形成元件分離膜54的長條形開口部分53a。工序2如圖9B所示，以氮化硅膜53作掩膜用LOCOS法氧化半導(dǎo)體基...
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