技術(shù)編號：6915822
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，特別是一種改良的可擦寫式內(nèi)存裝置的護(hù)層結(jié)構(gòu)，以及其制造方法。對于一般半導(dǎo)體產(chǎn)品而言，護(hù)層主要在IC封裝時的阻擋水氣與雜質(zhì)外并可以避免半導(dǎo)體組件在封裝過程中所可能受到的機(jī)械或化學(xué)損害。另外，對于閃存(flash memory)等半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品而言，護(hù)層的主要作用之一，是作為氫阻絕(hydrogen blocking)，隔離氫離子穿入內(nèi)聯(lián)線層結(jié)構(gòu)。由于在可擦除只讀存儲器(Erasable Programmable ROM，EPROM)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。