技術編號：6916464
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體材料的制作方法，特別涉及一種P型III族氮化物材料的制作方法。氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)和氮化鋁(AlN)及其組成的合金都是直接帶隙材料，是制作可見光至近紫外光波段的發(fā)光器件——發(fā)光二極管(LED)和激光器(LD)的優(yōu)良材料，尤其適合用于制作藍、綠色發(fā)光器件。目前，氮化鎵(GaN)發(fā)光二極管已有部分產業(yè)化，但仍存在以下問題P型氮化鎵基化合物空穴濃度較低，P型電阻率較高。這種現(xiàn)象是由氮化物本身的性質決定的氮化物屬于寬禁帶半導體材料...
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