技術(shù)編號(hào):6920902
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及利用CVD法或ALD法形成SrTi03膜的SrTi03膜成膜方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體設(shè)備中,集成電路的高集成化日益發(fā)展,在DRAM中也 要求減小存儲(chǔ)單元的面積、并增大存儲(chǔ)容量。與該要求相對(duì)應(yīng),MIM (金屬-絕緣體-金屬)結(jié)構(gòu)的電容器受到關(guān)注。作為這種MIM結(jié)構(gòu)的 電容器,使用鈦酸鍶(SrTK)3)等高介電常數(shù)材料作為絕緣膜(電介質(zhì) 膜)。作為DRAM電容器用SrTiOj莫的成膜方法, 一直以來(lái)大多采用使 用Sr(DPM)2作為Sr原料,...
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