技術編號：6921690
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，特別是涉及具有形成在半導體豐寸 底上的用于保持記憶的鐵電電容器的鐵電存儲器及其制造方法。背景技術近年來，隨著數(shù)字技術的發(fā)展，越來越傾向于高速處理或保存大容量的 數(shù)據(jù)。因此，對用于電子設備的半導體器件的高集成化以及高性能化的要求 越來越高。關于半導體存儲器件，為了實現(xiàn)例如DRAM (Dynamic Random Access Memory動態(tài)隨機存取存儲器)的高集成化，開始積極研發(fā)這樣的技術， 即，將鐵電材料或高介電常數(shù)材料用作為用于構成DRAM...
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