技術(shù)編號(hào)：6924155
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造場效應(yīng)晶體管的方法。更具體地說，本發(fā)明涉及一種制造以 氧化物膜作為半導(dǎo)體層的場效應(yīng)晶體管的方法。背景技術(shù)近年來，已積極開發(fā)了這樣的薄膜晶體管(TFT)，其包括基于多晶透明導(dǎo)電ZnO的 氧化物薄膜的溝道層(日本專利申請(qǐng)公開No. 2002-076356)。日本專利申請(qǐng)公開No. 2002-076356說明了由于該薄膜能夠在低溫下形成并且可 透過可見光，因此能夠在諸如塑料板或膜之類的基板上形成柔性透明TFT。不過，基于ZnO的化合物在室溫下不...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。