技術(shù)編號：6925570
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請涉及半導體制造技術(shù)，更具體涉及采用雙金屬鑲嵌工藝和壓印光刻形成三 維存儲器陣列中的存儲器線和通路(Via)。背景技術(shù)深通路(例如，單片三維存儲器陣列中跨越和/或連接多級存儲器元件的通路，也 已知為下面將要描述的Z通路(Zia))的形成通常需要采用相對昂貴的先進蝕刻工具。此 外，形成深通路包含的每個掩模步驟通常需要使用相對昂貴的先進沉浸式光刻(immersion lithography)工具和技術(shù)。此外，當特征尺寸達到32nm至15nm時采用沉浸式光刻...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。